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InP基共振遂穿二极管(RTD)研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:41 | 查看全部阅读模式

会议论文《InP基共振遂穿二极管(RTD)研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文系统介绍了基于InP材料的RTD器件结构、制备工艺及其性能特点，重点分析了其在高频电子器件中的应用潜力。研究为发展高性能微波和光电子器件提供了理论支持和技术参考。

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InP基共振遂穿二极管(RTD)研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 共振, 化合物, 微波, 光电

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