本文介绍了60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响。通过实验分析了不同辐照剂量下器件的漏电流、阈值电压和跨导等参数的变化情况。结果表明，辐照导致器件性能退化，主要表现为漏电流增加和跨导下降。研究为评估辐射环境下GaN器件的可靠性提供了参考依据。
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