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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:10 | 查看全部阅读模式

会议论文《6H-SiC体材料ICP刻蚀技术》介绍了利用等离子体增强的反应离子刻蚀（ICP）方法对6H-SiC体材料进行高精度加工的技术研究。该技术在微波器件和光电器件领域具有重要应用价值，能够实现高选择性和高刻蚀速率，提升器件性能与可靠性。研究为SiC基器件的制造提供了关键技术支撑。

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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 刻蚀, 化合物, 微波, 光电

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