会议论文《离子束辅助沉积同质过渡层增强AlN薄膜择优取向研究》发表于2010年中国材料研讨会。该研究探讨了通过离子束辅助沉积技术，在AlN薄膜制备过程中引入同质过渡层，以改善其择优取向性能。实验结果表明，该方法有效提高了AlN薄膜的结晶质量与取向一致性，对提升其在电子和光电子器件中的应用性能具有重要意义。
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