离子束溅射自组装生长Ge_Si量子点浸润层的研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议.pdf

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2026-1-11 05:53 | 查看全部 阅读模式

会议论文《离子束溅射自组装生长Ge_Si量子点浸润层的研究》探讨了利用离子束溅射技术在Si基底上自组装生长Ge_Si量子点浸润层的工艺与机理。研究分析了不同实验参数对量子点形貌和分布的影响,为高性能光电子器件提供了理论依据和技术支持。

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离子束溅射自组装生长Ge_Si量子点浸润层的研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议
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