会议论文《MOCVD生长InGaN_GaN量子阱特性研究》探讨了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备InGaN/GaN量子阱的生长特性。研究分析了不同生长参数对量子阱结构质量、发光性能及界面特性的影响，为高效氮化物基光电器件的开发提供了理论依据和技术支持。
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