会议论文《高频寄生效应下的GaN HEMT小信号等效电路模型》针对GaN HEMT在高频工作时的寄生效应进行了深入研究，提出了改进的小信号等效电路模型。该模型有效考虑了器件在高频下的寄生电容、电感及传输线效应，提高了对器件高频特性的模拟精度。论文为GaN HEMT在射频和微波电路设计中的应用提供了理论支持，具有重要的工程价值。
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