会议论文《掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响》探讨了在重掺磷直拉单晶硅中加入锗元素对铜沉淀形成的影响。研究通过实验分析表明，掺锗能够有效抑制铜沉淀的生成，改善材料的电学性能和稳定性。该成果对提升半导体器件的质量和可靠性具有重要意义。
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