会议论文《快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响》探讨了快速热处理工艺对掺氮直拉硅材料在快中子辐照后氧沉淀行为的影响。研究结果表明，快速热处理能够有效调控氧沉淀的形成与分布，改善材料的微观结构，对提升半导体器件性能具有重要意义。
文档为pdf格式，0.38MB，总共6页。
举报
