会议论文《横向变厚度漂移区SOI LDMOS工艺技术研究》探讨了基于SOI技术的LDMOS器件在横向变厚度漂移区的工艺实现。该研究针对传统LDMOS器件的性能瓶颈，提出通过优化漂移区结构来提升器件击穿电压与导通电阻的比值。文章详细分析了工艺流程及关键参数对器件性能的影响，为高性能功率集成电路的设计提供了理论支持和实验依据。
文档为pdf格式，0.25MB，总共6页。
举报
