会议论文《抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究》探讨了新型源漏结构对UTB SOI器件性能的影响。通过对比抬高与凹陷结构的载流子输运行为，分析了其在短沟道效应、阈值电压及电流特性方面的差异。研究结果为高性能SOI器件的设计提供了理论依据和技术支持。
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