会议论文《快速热处理对电子辐照直拉硅氧沉淀的影响》探讨了快速热处理工艺对电子辐照后直拉硅中氧沉淀形成的影响。研究结果表明，适当参数的快速热处理可有效调控氧沉淀的尺寸与分布，从而改善硅片的电学性能。该成果为半导体制造过程中硅材料的优化提供了理论依据和技术支持。
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