会议论文《快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究》探讨了快中子辐照对直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和缺陷形成的影响。研究通过实验分析了辐照后硅片的微观结构变化，揭示了氧沉淀的生长机制及其与缺陷的相互作用。该成果对提高半导体器件的辐射稳定性具有重要意义，为硅材料在核能和空间应用中的性能优化提供了理论支持。
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