会议论文《偏置条件对PMOS器件X射线总剂量效应的影响》探讨了不同偏置条件下PMOS器件在X射线辐射下的性能变化。研究结果表明，偏置电压对器件的总剂量效应有显著影响，尤其在高偏置状态下，器件的阈值电压漂移和漏电流增加更为明显。该研究为提高半导体器件在辐射环境中的可靠性提供了理论依据和技术参考。
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