Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响 - 中国电子学会第十五届电子元件学术年会.pdf

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2026-1-12 07:51 | 查看全部 阅读模式

会议论文《Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响》探讨了稀土元素Nd2O3掺杂对SnO2基压敏电阻材料电学性能的影响。研究通过实验分析发现,适量Nd2O3的掺杂能够改善材料的非线性特性与击穿电压,从而提升其在过压保护领域的应用潜力。该成果为优化压敏电阻性能提供了理论依据与实验支持。

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Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响 - 中国电子学会第十五届电子元件学术年会
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