会议论文《一种改进的GCNMOS ESD保护结构》发表于中国电子学会第十四届青年学术年会，提出了一种优化的GCNMOS结构以提升ESD保护性能。该结构通过调整掺杂分布和器件尺寸，有效降低了击穿电压并提高了电流承载能力，为集成电路提供了更可靠的静电放电防护方案。
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