MOCVD法制备ZnO p-n同质结及其特性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《MOCVD法制备ZnO p-n同质结及其特性研究》介绍了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备ZnO p-n同质结的方法,并对其电学和光学特性进行了系统研究。研究结果表明,所制备的同质结具有良好的整流特性与发光性能,为ZnO基光电器件的发展提供了实验依据。

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MOCVD法制备ZnO p-n同质结及其特性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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