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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部阅读模式

会议论文《MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化》探讨了通过数值模拟方法研究GaN在MOCVD过程中的生长机制，并对喷淋式反应室结构进行了优化设计。该研究旨在提高GaN薄膜的质量和均匀性，为高性能半导体器件的制备提供理论支持和技术参考。

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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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