会议论文《HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析》探讨了氢化物气相外延（HVPE）法在生长氮化镓（GaN）厚膜过程中出现的弯曲现象。文章分析了温度梯度、热应力及生长速率等因素对GaN厚膜形貌的影响，提出了改善晶体质量与减少弯曲的可能方法，为高质量GaN材料的制备提供了理论依据和技术参考。
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