会议论文《GaN器件结构与二维电子气关系的研究》探讨了氮化镓（GaN）器件中二维电子气（2DEG）的形成机制及其与器件结构的关系。研究通过理论分析和实验验证，揭示了不同结构参数对2DEG密度和迁移率的影响，为优化GaN器件性能提供了重要依据。该成果对于提升功率器件和微波器件的性能具有重要意义。
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