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AlXGa1-zN_GaN异质结构中二维电子气的塞曼自旋分裂 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:17 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlXGa1-zN_GaN异质结构中二维电子气的塞曼自旋分裂》探讨了在AlGaN/GaN异质结构中，二维电子气（2DEG）在强磁场下的自旋分裂现象。研究通过实验与理论分析，揭示了自旋分裂行为与材料特性及外加磁场之间的关系，为高性能氮化物半导体器件的设计提供了重要参考。

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AlXGa1-zN_GaN异质结构中二维电子气的塞曼自旋分裂 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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