会议论文《P波段350W LDMOS功率管研制》介绍了在2010年全国半导体器件技术研讨会上发表的研究成果。该研究针对P波段应用，开发了一种高功率LDMOS晶体管，输出功率达到350W。论文详细阐述了器件的结构设计、工艺流程及性能测试结果，展示了其在高频大功率应用中的潜力，对推动射频功率器件的发展具有重要意义。
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