会议论文《反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究》发表于TFC‘2011全国薄膜学术研讨会，主要探讨了利用反应磁控溅射技术制备氮化钽（TaN）薄膜作为扩散阻挡层的工艺与性能。研究分析了不同工艺参数对薄膜结构和性能的影响，表明TaN薄膜具有良好的热稳定性和扩散阻挡能力，适用于先进半导体器件中。该研究为集成电路中金属互连技术提供了重要参考。
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