HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 00:05 | 查看全部 阅读模式

《HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征》是第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中的一篇重要论文。该文详细介绍了利用离子束技术制备HfTaO高k栅介质薄膜的方法,并对其物理特性进行了系统表征。研究结果表明,通过优化离子束参数,可以有效提高薄膜的介电性能和界面质量,为下一代半导体器件的开发提供了理论支持和技术参考。本文对推动高k介质材料在集成电路中的应用具有重要意义。

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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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