应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究》探讨了应变硅沟道对nMOSFET阈值电压的影响。通过实验与模拟分析，研究揭示了应变对载流子迁移率及阈值电压的调制作用，为高性能硅基器件设计提供了理论依据和技术支持。

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