会议论文《大直径InP单晶生长研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文探讨了大直径InP单晶的生长技术，分析了影响晶体质量的关键因素，提出了优化生长条件的方法。研究对提升InP单晶的均匀性和减少缺陷具有重要意义，为高性能光电子器件和微波器件的发展提供了理论支持和技术参考。
文档为pdf格式，0.85MB，总共4页。
举报
