宽禁带MgzZn1-zO薄膜的制备和性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 13:07 | 查看全部 阅读模式

会议论文《宽禁带MgzZn1-zO薄膜的制备和性能研究》介绍了采用脉冲激光沉积法在不同基底上制备MgzZn1-zO薄膜的过程。研究分析了薄膜的结构、光学和电学性能,探讨了组分对禁带宽度的影响。结果表明,该材料具有优异的光电特性,适用于紫外探测和光电子器件领域。

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宽禁带MgzZn1-zO薄膜的制备和性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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