宽禁带半导体研究现状与发展趋势 (邀请报告) - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 13:07 | 查看全部阅读模式

会议论文《宽禁带半导体研究现状与发展趋势 (邀请报告)》介绍了当前宽禁带半导体材料的研究进展，包括氮化镓、碳化硅等关键材料的制备与性能优化。文章分析了其在微波器件和光电器件中的应用现状，并展望了未来发展方向，强调了技术创新与产业化的结合对推动该领域发展的意义。

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