会议论文《大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究》在全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议上发表。该文探讨了大栅宽结构在SiC MESFET器件中的应用，分析了其对器件性能的影响，提出了优化制造工艺的方法，旨在提升器件的高频性能和功率密度，为微波集成电路的发展提供了理论支持和技术参考。
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