会议论文《带有复合式集电区的超高速InP_InGaAs DHBT》介绍了基于InP和InGaAs材料的双极型晶体管结构设计。该研究通过引入复合式集电区，显著提升了器件的高频性能和工作速度。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，为高性能微波电子器件的发展提供了新思路。
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