会议论文《AlGaN_AlNa_GaN_AlNb_GaN HEMT结构材料生长及性能表征》介绍了新型HEMT结构的材料生长方法及其性能测试结果。该研究通过优化材料设计，提升了器件的电子迁移率和击穿电压，为高性能微波器件提供了新思路。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了相关领域的最新研究成果。
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