会议论文《AlGaN/GaN HEMT不同结构的直流及温度特性仿真》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在不同结构下的直流性能与温度特性。通过仿真分析，研究了器件结构参数对电流、电压及热分布的影响，为优化器件设计提供了理论依据。该成果对于提升GaN器件的性能与可靠性具有重要意义。
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