会议论文《SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究》探讨了SiC MESFET器件在伽马射线辐照下的电离效应。研究通过实验分析了不同剂量率和总剂量对器件性能的影响，揭示了其在辐射环境下的可靠性与稳定性。该成果为高辐射环境下半导体器件的应用提供了重要参考。
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