会议论文《SRAM的电磁脉冲效应实验研究》探讨了电磁脉冲对静态随机存取存储器（SRAM）的影响。该研究通过实验分析了不同强度电磁脉冲下SRAM的性能变化，评估了其抗干扰能力。论文为提高电子设备在强电磁环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。
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