会议论文《SOI工艺的静态存储器单粒子翻转试验研究》针对SOI工艺静态存储器在空间辐射环境下的单粒子翻转现象进行了深入分析。通过实验测试，研究了不同能量粒子对存储器的影响，评估了其抗辐射性能。该研究为提高航天电子设备的可靠性提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。
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