会议论文《SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究》探讨了SRAM型FPGA在总剂量辐射环境下的性能变化及退火效应。研究通过实验分析了辐射对器件逻辑功能的影响，并评估了不同退火条件下的恢复效果，为提高FPGA在高辐射环境中的可靠性提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.32MB，总共6页。
举报
