会议论文《SOI器件总剂量辐射效应研究进展》探讨了SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐射环境下的性能变化及失效机制。文章综述了近年来相关研究的成果，分析了辐射对SOI器件电学特性的影响，并提出了提高抗辐射能力的策略。该研究对于航天、核能等高辐射环境下的电子系统设计具有重要参考价值。
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