SRAM存储器单粒子效应试验研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 11:29 | 查看全部 阅读模式

会议论文《SRAM存储器单粒子效应试验研究》发表于第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会。该文针对SRAM存储器在空间辐射环境下的单粒子效应进行了系统研究,通过实验分析了不同能量粒子对存储器的影响,探讨了故障机制及抗辐射设计方法,为提高航天电子设备的可靠性提供了理论支持和技术参考。

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SRAM存储器单粒子效应试验研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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