会议论文《CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应》探讨了不同剂量率下CCD器件在总剂量辐射环境中的性能变化。研究通过实验分析了辐射剂量率对器件电荷转移效率和暗电流等参数的影响，揭示了剂量率效应对辐射损伤程度的显著作用。该成果为提高CCD器件在高辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。
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