会议论文《纳米沟道阵列AlGaN_GaN HEMTs研究》在第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表。该研究聚焦于纳米沟道阵列结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs），探讨其在性能优化与器件微型化方面的潜力，为高频、高功率电子器件的发展提供了新的思路。
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