会议论文《稀土元素离子注入法制备GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究》探讨了通过稀土元素离子注入技术制备GaN基稀磁半导体薄膜的方法。该研究旨在提升GaN材料的磁性性能，拓展其在新型半导体器件中的应用前景。论文分析了不同稀土元素的注入参数对薄膜结构和磁学性质的影响，为后续高性能稀磁半导体材料的开发提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.41MB，总共3页。
举报
