会议论文《一种基于InGaP_GaAs HBT工艺的新型ESD保护电路》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文提出了一种适用于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺的新型静电放电（ESD）保护电路结构，旨在提升器件的抗静电能力与可靠性。通过优化电路设计与工艺参数，实现了更高效的ESD保护性能，对高性能射频和功率器件的开发具有重要意义。
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