一种改善VPNP管性能的SIC技术研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议.pdf

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2026-1-11 12:04 | 查看全部 阅读模式

会议论文《一种改善VPNP管性能的SIC技术研究》探讨了通过SIC(硅化物隔离)技术提升VPNP晶体管性能的方法。该研究针对传统工艺中存在的漏电和界面态问题,提出优化的SIC结构,有效降低了寄生电阻,提高了器件的稳定性和工作速度。研究成果为高性能功率器件的设计与制造提供了新的思路,具有重要的理论和应用价值。

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一种改善VPNP管性能的SIC技术研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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