会议论文《Development of High Quality and Low Defect Density Semi-polar and Non-polar GaN Templates》介绍了在第十届中国国际半导体照明论坛上发表的研究成果。该研究聚焦于高纯度、低缺陷密度的半极性和非极性氮化镓模板的开发,旨在提升氮化镓基器件的性能和可靠性。通过优化生长工艺,研究人员成功降低了晶体缺陷密度,为高效LED和功率器件提供了高质量材料基础。
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