气相沉积聚酰亚胺_Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用 - 第十四届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2026-1-10 06:18 | 查看全部 阅读模式

会议论文《气相沉积聚酰亚胺_Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用》探讨了新型复合薄膜在氮化镓高电子迁移率晶体管中的潜在应用。研究通过气相沉积技术制备了聚酰亚胺与铬的复合薄膜,并评估其在器件中的绝缘和防护性能。该成果为提升GaN HEMTs的稳定性和可靠性提供了新思路,具有重要的工程应用价值。

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气相沉积聚酰亚胺_Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用 - 第十四届全国固体薄膜学术会议
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