会议论文《气相沉积聚酰亚胺_Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用》探讨了新型复合薄膜在氮化镓高电子迁移率晶体管中的潜在应用。研究通过气相沉积技术制备了聚酰亚胺与铬的复合薄膜,并评估其在器件中的绝缘和防护性能。该成果为提升GaN HEMTs的稳定性和可靠性提供了新思路,具有重要的工程应用价值。
文档为pdf格式,1.31MB,总共3页。
举报