2009年全国第二届电磁材料及器件学术会议上，会议论文研究了顺电(BaSr)TiO3缓冲层对(Bi_La)FeO3多铁性薄膜性能的影响。通过实验发现，引入BaSrTiO3缓冲层可有效改善薄膜的结构质量和电学性能，增强其铁电和铁磁特性，为多铁性材料在新型存储器和传感器中的应用提供了理论依据和技术支持。
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