900V超结功率DMOS设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:06 | 查看全部 阅读模式

会议论文《900V超结功率DMOS设计》介绍了针对高耐压应用的超结结构功率DMOS器件的设计方法。该研究通过优化沟槽结构和掺杂分布,提升了器件的击穿电压与导通性能。论文在第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议上发表,为高性能功率半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考。

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900V超结功率DMOS设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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