本文介绍了高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长技术，重点探讨了生长条件对薄膜质量的影响。研究通过优化工艺参数，实现了高结晶质量的GaN薄膜制备，为高性能光电器件和微波器件提供了优质的材料基础。该成果在第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议上进行了展示，受到广泛关注。
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