通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 18:41 | 查看全部阅读模式

会议论文《通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系》探讨了退火处理对ZnGeP2晶体点缺陷的影响及其与红外透过率之间的关系。研究通过实验分析，揭示了点缺陷在退火过程中的演变规律，以及其对材料光学性能的作用机制，为优化ZnGeP2晶体的红外光学性能提供了理论依据。

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