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InGaN肖特基接触的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:41 | 查看全部阅读模式

会议论文《InGaN肖特基接触的研究》探讨了InGaN材料在肖特基二极管中的应用，分析了其电学特性与界面性质。研究通过实验与理论结合，提出了优化接触性能的方法，对提升器件效率具有重要意义。该成果为新一代光电器件和微波器件的发展提供了理论支持和技术参考。

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InGaN肖特基接触的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 化合物, 微波, 光电, 十五届

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